Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOT25S65L

MOSFET N-CH 650V 25A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
AOT25S65L

AOT25S65L Hakkında

AOT25S65L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj kapasitesi ve 25A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile montajı kolaydır. 190mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük kapak kaybına olanak tanır. 357W maksimum güç kaybı ile yüksek güç uygulamalarında çalışabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve açık hat (offline) SMPS uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1278 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok