Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOT20S60L

MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
AOT20S60L

AOT20S60L Hakkında

AOT20S60L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrolü ve endüstriyel dönüştürücü devrelerde kullanılır. Maksimum 199mΩ (10A, 10V) on-resistance değeri ile verimli çalışma sağlar. Gate charge karakteristiği 19.8nC ve input kapasitansi 1038pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 266W maksimum güç disipasyonu kapasitesiyle tasarlanmıştır. Through-hole montaj türüne sahiptir ve legacy uygulamalar için uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1038 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 266W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok