Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOT1N60
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOT1N60
AOT1N60 Hakkında
AOT1N60, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.3A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-220 paketinde sunulmaktadır. Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 9Ω olup, 41.7W maksimum güç dağılımı sağlayabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve endüstriyel güç elektronikleri gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır. Gate charge değeri 8nC ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 41.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 650mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok