Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOT12N60FDL

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
AOT12N60FDL

AOT12N60FDL Hakkında

AOT12N60FDL, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektroniği devrelerinde switching elemanı olarak işlev görür. 650mOhm maksimum on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol sistemleri, şarj cihazları, UPS sistemleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. Through-hole montajı nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarında kolay entegrasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2010 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok