Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOT11S65L
MOSFET N-CH 650V 11A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOT11S65L
AOT11S65L Hakkında
AOT11S65L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 399mΩ maksimum on-direnç değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen AOT11S65L, endüstriyel güç dönüştürme, anahtarlama güç kaynakları ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 198W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta-yüksek güç seviyeleri için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 646 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 198W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok