Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOT11N60L

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
AOT11N60L

AOT11N60L Hakkında

AOT11N60L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen 600V N-channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 11A sürekli drain akımı kapasitesine ve 650mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 10V gate sürüş voltajında kullanılmak üzere tasarlanan bu bileşen, 37nC gate charge karakteristiğine ve geniş çalışma sıcaklığı aralığına (-55°C ~ 150°C) sahiptir. Yüksek voltaj switching uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrolü ve endüstriyel güç dönüştürme devrelerinde tercih edilir. Through-hole montaj özelliği, geleneksel PCB tasarımlarında kolay entegrasyon sağlar. Maksimum 272W güç tüketim kapasitesiyle, orta ila yüksek güç uygulamalarında güvenilir çalışma sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1990 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 272W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok