Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOT11C60L

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
AOT11C60L

AOT11C60L Hakkında

AOT11C60L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu komponentin maksimum Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 400mOhm'dir. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol ve gerilim regülatörleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 278W maksimum güç dissipasyonuna ve 42nC gate charge değerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok