Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOT11C60

MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
AOT11C60

AOT11C60 Hakkında

AOT11C60, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında işletilir. 10V gate geriliminde 440mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Anahtarlama hızının ve termal yönetimin önemli olduğu AC/DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, koruma devrelerine uygulanmaya elverişlidir. 42nC gate charge ve 2000pF input capacitance özellikleriyle sürücü entegrelerine uygun tasarlanmıştır. Pil şarj sistemleri, invertörler ve endüstriyel güç dönüştürücülerinde yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok