Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOT10T60L

MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
AOT10T60L

AOT10T60L Hakkında

AOT10T60L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. 700mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, şarj cihazları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum 208W güç dissipasyonuna sahiptir. 35nC gate charge ve 1346pF input kapasitans ile hızlı komütasyon özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1346 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok