Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOT10N65
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOT10N65
AOT10N65 Hakkında
AOT10N65, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10A sürekli dren akımı kapasitesine ve maksimum 250W güç tüketim değerine sahiptir. 1Ω Ron (10V, 5A) ile düşük iletim kaybına özeldir. Dren-kaynak gerilimi (Vdss) 650V olup, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. Gate eşik gerilimi maksimum 4.5V'dur. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı sayesinde geniş uygulama yelpazesine sahiptir. Endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, invertörler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1645 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok