Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOT10N60_001

MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
AOT10N60

AOT10N60_001 Hakkında

AOT10N60_001, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli akım kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel aydınlatma uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 750mOhm on-resistance değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde zorlu ortam koşullarında güvenilir performans sunmuştur. Maksimum 250W güç dağıtım kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok