Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOT10N60

MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
AOT10N60

AOT10N60 Hakkında

AOT10N60, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 750mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve 250W güç dağılımı kapasitesi ile çeşitli ortamlarda güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok