Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOSP66923

MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
AOSP66923

AOSP66923 Hakkında

AOSP66923, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımına kapasite sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile sunulan bu FET, maksimum 11mOhm on-direnci (Rds On) ile röle, solenoid sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bileşen, 10V gate geriliminde 35nC gate yükü ve 1725pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama işlemleri destekler. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 2.6V eşik gerilimi, endüstriyel ve otomotiv elektronik tasarımlarında geniş uygulama alanı bulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1725 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok