Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AONV210A60

MOSFET N-CH 600V 4.1A/20A 4DFN

Paket/Kılıf
4-PowerTSFN
Seri / Aile Numarası
AONV210A60

AONV210A60 Hakkında

AONV210A60, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.1A (Ta) / 20A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama devrelerinde etkin olarak çalışır. 210mOhm RDS(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. 4DFN (8x8) SMD paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, dc-dc dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 34nC gate charge ve düşük input kapasitansiyle hızlı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1935 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 4-PowerTSFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 8.3W (Ta), 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 7.6A, 10V
Supplier Device Package 4-DFN (8x8)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok