Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AONS660A70F
MOSFET N-CH 700V 1.7A/9.6A 8DFN
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AONS660A70F
AONS660A70F Hakkında
AONS660A70F, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen 700V N-Channel MOSFET transistördür. 8-PowerVDFN (5x6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük açık direnç değeri (660mOhm @ 10V) ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi işlevlerinde kullanılır. 25°C'de 1.7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, uygun soğutma koşullarında 9.6A'ye kadar çalışabilir. Gate şarj miktarı (14.5nC) ve düşük giriş kapasitesi (900pF) hızlı anahtarlama için uygun özelliktir. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu MOSFET, endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüler, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri gibi uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta), 9.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.1W (Ta), 138W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN-EP (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok