Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AONR21357
MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AONR21357
AONR21357 Hakkında
AONR21357, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 21A (Ta) / 34A (Tc) sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 8-DFN (3x3mm) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponen, 7.8mOhm maksimum RDS(on) direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, batarya yönetimi, anahtarlama devreleri ve ters polarite koruması gibi alanlarda kullanılmaktadır. ±25V maksimum gate voltajı ile geniş kontrol aralığı sunar. 70nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2830 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN-EP (3x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok