Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AONR21307
MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AONR21307
AONR21307 Hakkında
AONR21307, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 24A sürekli drain akım kapasitesine sahiptir. 8-PowerVDFN (3x3mm) yüzey montaj paketi ile sunulur. Maksimum 11mΩ RDS(on) değerine sahip olup, 10V gate geriliminde optimize edilmiştir. Gate charge değeri 50nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, LED sürücüleri, pil koruma devreleri, DC-DC konvertörler ve analog anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük on-direnci sayesinde ısıl kayıplar minimize edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1995 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN-EP (3x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok