Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOI9N50

MOSFET N-CH 500V 9A TO251A

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
AOI9N50

AOI9N50 Hakkında

AOI9N50, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında güç anahtarlaması işlevini gerçekleştirir. TO-251-3 paketindeki bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, switched-mode power supplies (SMPS) ve endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 860mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. -50°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 178W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 860mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TO-251A
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok