Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOI518_001

MOSFET N-CH 30V 18A/46A

Paket/Kılıf
Seri / Aile Numarası
AOI518

AOI518_001 Hakkında

AOI518_001, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 30V drain-source geriliminde 18A (Ta) veya 46A (Tc) sürekli drenaj akımı sağlayabilir. Maksimum 8mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı ve yüksek verimlilik sunar. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilen bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 2.5W (Ta) veya 50W (Tc) maksimum güç tüketimi kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (22.5 nC @ 10V) hızlı anahtarlama işlemini destekler. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta), 46A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 951 pF @ 15 V
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok