Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOI4N60
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOI4N60
AOI4N60 Hakkında
AOI4N60, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 4A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, 2.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -50°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilmesi geniş uygulama alanı sunar. 14.5nC gate charge ve 640pF input capacitance değerleri hızlı ve kontrollü geçiş karakteristiği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok