Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOI4C60

MOSFET N-CH 600V 4A TO251A

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
AOI4C60

AOI4C60 Hakkında

AOI4C60, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 4A sürekli dren akımı kapasitesi ve 950mOhm on-direnci ile anahtarlama devrelerinde yer alır. TO-251-3 paketlemesi ile PCB'ye yükseltici entegratörlü montajı destekler. -50°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Güç dönüştürücüleri, switching power supplies ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 125W maksimum güç disipasyonu, 18nC gate charge ve 910pF giriş kapasitesi teknik özellikleri içerir. Obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 1.3A, 10V
Supplier Device Package TO-251A
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok