Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOI2N60A
MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOI2N60A
AOI2N60A Hakkında
AOI2N60A, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 4.7Ω maksimum on-state direnci ile güç dönüştürme, anahtarlama ve AC/DC güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bileşen, -50°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olup, 57W maksimum güç dağılımı özelliğine sahiptir. Gate charge değeri 11nC olarak belirlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 295 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok