Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOI1R4A70
MOSFET N-CH 700V 3.8A TO251A
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOI1R4A70
AOI1R4A70 Hakkında
AOI1R4A70, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 700V Drain-Source gerilim ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 3.8A sürekli drenaj akımı ve 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç dönüştürücüleri, anahtarlama devreleri ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan komponentin çalışma sıcaklığı -55°C ile +150°C arasındadır. Gate şarj miktarının düşük olması (8nC) hızlı anahtarlama performansı sağlar. 48W maksimum güç tüketimi ile orta güç uygulamalarında uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 354 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok