Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOI1N60L
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOI1N60L
AOI1N60L Hakkında
AOI1N60L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 1.3A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(On) değeri (9Ω @ 650mA, 10V) sayesinde ısıl kaybı minimalize eder. 8nC gate charge ve 160pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -50°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Endüstriyel kontrol devreleri, AC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Bileşen obsolete konumuyla beraber sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 650mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok