Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOI11S60

MOSFET N-CH 600V 11A TO251A

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
AOI11S

AOI11S60 Hakkında

AOI11S60, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketine sahip bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle switch-mode güç kaynakları (SMPS), motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 10V gate sürüş voltajında 399mΩ maksimum on-direnci ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 545 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 399mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package TO-251A
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok