Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOD600A70

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
AOD600A70

AOD600A70 Hakkında

AOD600A70, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET) komponenttir. 700V drain-source gerilimi ve 8.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, switching güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, invertörler ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarında yer alır. 10V gate sürücü geriliminde 600mOhm'luk maksimum on-state direnci ve 15.5nC gate charge değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252 (DPak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok