Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOD4S60

MOSFET N-CH 600V 4A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
AOD4S60

AOD4S60 Hakkında

AOD4S60, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 2A ve 10V gate voltajında 900mOhm olup, anahtarlama işlemlerinde düşük geçiş direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Gate charge değeri 6nC ve input capacitance değeri 263pF'dir. Güç kaynakları, motor kontrolü, enerji dönüştürme devrelerinde ve high-side/low-side switch uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Part status olarak yeni tasarımlar için önerilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 263 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-252 (DPak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok