Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOD11S60
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOD11S60
AOD11S60 Hakkında
AOD11S60, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüşüm devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. 10V gate sürüş geriliminde 399mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır ve 208W maksimum güç yayımlama kapasitesine sahiptir. 11nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliğini sağlar. Endüstriyel, otomotiv ve telekomünikasyon uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 545 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (DPak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok