Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOB7S65L

MOSFET N-CH 650V 7A TO263

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
AOB7S65L

AOB7S65L Hakkında

AOB7S65L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu FET, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, AC-DC adaptörleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi yüksek güç uygulamalarında çalışır. 10V gate sürme geriliminde 650mΩ maksimum RDS(On) ve 9.2nC gate yükü özellikleriyle düşük komütasyon kaybı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 434 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok