Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOB66916L

MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
AOB66916L

AOB66916L Hakkında

AOB66916L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 35.5A sürekli dren akımı (Ta) kapasitesine sahiptir. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu komponentin maksimum kapı yükü 78 nC ve RDS(on) değeri 3.6mΩ (10V, 20A'de) olarak belirlenmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları tasarımında ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate gerilim ile kontrol edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35.5A (Ta), 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6180 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 8.3W (Ta), 277W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok