Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOB66613L

MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
AOB66613L

AOB66613L Hakkında

AOB66613L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj derecesi ve 44.5A sürekli drain akımı (Ta=25°C) kapasitesine sahiptir. 2.5mΩ maksimum on-state direnci ile düşük geçiş kayıpları sağlar. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. MOSFET yapısı, hızlı anahtarlama ve düşük kapı şarj gereksinimi (110nC) ile karakterizedir. Güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücü devreleri ve yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44.5A (Ta), 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 8.3W (Ta), 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok