Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOB412L

MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO263

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
AOB412L

AOB412L Hakkında

AOB412L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj dayanımına sahip bu bileşen, 8.2A (Ta) ve 60A (Tc) sürekli drain akımı sağlayabilir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paket formatında sunulan AOB412L, güç kontrol uygulamalarında, motor sürücülerinde, anahtarlama güç kaynakları (SMPS) ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 15.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunarak verimliliği destekler. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygundur. 54nC gate charge ve 3.8V threshold voltajı hızlı anahtarlama işlemleri sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.2A (Ta), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3220 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.6W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok