Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOB29S50L
MOSFET N-CH 500V 29A TO263
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOB29S50L
AOB29S50L Hakkında
AOB29S50L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 29A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 150mΩ maksimum on-state direnci ve 26.6nC gate charge değerleriyle anahtarlama devrelerinde etkin bir şekilde çalışır. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS) uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile +150°C arasında güvenli bir şekilde çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1312 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok