Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOB282L

MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
AOB282L

AOB282L Hakkında

AOB282L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V Drain-Source gerilim kapasitesi ile tasarlanan bu komponen, 18.5A sürekli drenaj akımına (Ta) ve 105A'ye (Tc) kadar çıkabilen akım yeteneğine sahiptir. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan AOB282L, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürme devrelerinde, motor sürücülerinde ve yüksek frekanslı devrelerinde kullanılır. 3.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 178nC gate charge ve 7765pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama karakteristiğini destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.5A (Ta), 105A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7765 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 272.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok