Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOB27S60L

MOSFET N-CH 600V 27A TO263

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
AOB27S60L

AOB27S60L Hakkında

AOB27S60L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim ve 27A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-263 (D²Pak) paketlemesi ile yüzey montajı destekler. 160mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 357W maksimum güç dağıtımı yapabilir. AC/DC güç kaynakları, motor kontrol devreleri, endüstriyel anahtarlama uygulamaları ve enerji yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 10V gate sürüş gerilimi için tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1294 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 13.5A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok