Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOB190A60L

MOSFET N-CH 600V 20A TO263

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
AOB190A60L

AOB190A60L Hakkında

AOB190A60L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 190mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 208W güç tüketim kapasitesine sahip olan AOB190A60L, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç elektronikleri gibi alanlarda tercih edilir. 34nC gate yükü ve düşük on-direnci sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1935 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 7.6A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.6V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok