Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOB12N60FDL

MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
AOB12N60FDL

AOB12N60FDL Hakkında

AOB12N60FDL, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, anahtarlama devreleri ve indüktif yüklerin kontrolü gerektiren endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 650mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2010 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok