Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOB11S60L
MOSFET N-CH 600V 11A TO263
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOB11S60L
AOB11S60L Hakkında
AOB11S60L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 399mOhm maximum on-state direnci ile verimliliğe katkıda bulunur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda tasarlanmıştır. Güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüştürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 178W maksimum güç tüketimi desteği ile termal açıdan hesaplanmış tasarımlara uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 545 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 178W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok