Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOB11N60L

MOSFET N-CH 600V 11A TO263

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
AOB11N60L

AOB11N60L Hakkında

AOB11N60L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 11A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 700mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. ±30V kapı gerilimi aralığında çalışan transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 37nC gate charge ve 1990pF input capacitance özellikleriyle, güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlama devreleri ve high-voltage kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. Surface mount montajı sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun bir çözüm sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1990 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 272W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok