Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOB1100L

MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
AOB1100L

AOB1100L Hakkında

AOB1100L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim kapasitesine ve 8A (Ta) / 130A (Tc) sürekli akım yeteneğine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 11.7mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında güvenli şekilde çalışan AOB1100L, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 3.8V threshold gerilimi ve 100nC gate charge özellikleriyle hızlı komütasyon işlemlerine uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta), 130A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4833 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok