Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AO4447A_DELTA

MOSFET P-CH 30V 18.5A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
AO4447A

AO4447A_DELTA Hakkında

AO4447A_DELTA, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 18.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük 5.8mOhm on-resistance değeriyle anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan transistör, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, batarya yönetim sistemleri ve çeşitli endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. 130nC gate charge ve 5020pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur. Maksimum ±20V gate-source gerilim toleransı ile gelişmiş kontrol devrelerine entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5020 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok