Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AO3422L

MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
AO3422L

AO3422L Hakkında

AO3422L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 55V drain-source gerilimi ve 2.1A sürekli dren akımı özellikleriyle tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 160mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç tüketimli uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve düşük sinyalli lojik seviyesi kontrolünde kullanılır. Gate şarj kapasitesi 3.3nC ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 2.1A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok