Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AO3160E

MOSFET N-CH 600V 40MA SOT23A-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
AO3160E

AO3160E Hakkında

AO3160E, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 40mA sürekli dren akımı kapasitesi ve 500Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç disipasyonu sağlar. ±20V kapı gerilimi aralığında çalışır ve 3.2V eşik gerilimi ile hızlı komütasyon yapabilir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyumludur. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Anahtarlama devreleri, DC-DC konverterler, motor kontrolü ve genel sinyal anahtarlama uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9.5 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.39W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 16mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23A-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.2V @ 8µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok