Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AIMW120R080M1XKSA1
1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AIMW120R080M1
AIMW120R080M1XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIMW120R080M1XKSA1, 1200V COOLSIC MOSFET teknolojisine dayalı N-Channel FET transistördür. PG-TO247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 33A sürekli drenaj akımı ve 104mOhm maksimum RDS(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Silicon Carbide (SiC) teknolojisinin avantajları olan düşük kayıp ve hızlı anahtarlama özellikleri ile güç dönüştürücüler, inverterler, traction sistemleri ve endüstriyel uygulamalar gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlayan bu MOSFET, 150W maksimum güç tüketimine dayanıklıdır. 15V sürücü voltajı ile kolay kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1060 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 13A, 15V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -7V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 5.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok