Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AIMW120R060M1HXKSA1
1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AIMW120R060M1
AIMW120R060M1HXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIMW120R060M1HXKSA1, 1200V SiCFET (Silicon Carbide) N-Channel MOSFET'tir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılmaktadır. 36A sürekli dren akımı kapasitesi ve 78mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji dönüşüm sistemlerinde, güç inverterlerinde, DC-DC konvertörlerde ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın şekilde tercih edilmektedir. Silikon karbür teknolojisi sayesinde düşük kayıplar ve yüksek sıcaklık stabilite sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 150W güç dağıtımına kadar destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1060 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 13A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 5.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok