Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AIMW120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AIMW120R045M1
AIMW120R045M1XKSA1 Hakkında
AIMW120R045M1XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V N-channel Silicon Carbide (SiCFET) MOSFETdir. 52A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu transistör, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. 59mOhm (15V, 20A) on-resistance değeri ile güç dönüştürücü uygulamalarında verimli çalışma sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-40°C ~ 175°C) ve yüksek gerilim dayanımı (1200V Vdss), enerji dönüştürme sistemleri, inverterler, motor kontrol devreleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanıma uygundur. Gate charge değeri 57nC (15V) ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2130 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 228W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 20A, 15V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -7V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok