Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AIMW120R035M1HXKSA1
1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AIMW120R035M1
AIMW120R035M1HXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies AIMW120R035M1HXKSA1, 1200V COOLSIC SiCFET (Silicon Carbide) N-channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 52A sürekli drenaj akımı ve 46mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 228W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Silikon karbür teknolojisi sayesinde düşük kayıplar, yüksek sıcaklık dayanımı ve hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Endüstriyel elektrik dönüştürücüler, invertörler, kaynak cihazları ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2130 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 228W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 25A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok