Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
5LN01C-TB-H
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 5LN01C
5LN01C-TB-H Hakkında
5LN01C-TB-H, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 50V drain-source gerilimi (Vdss) ile 100mA sürekli drain akımına (Id) sahip bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 7.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli komütasyon sağlar. ±10V gate gerilimi aralığında çalışan bu MOSFET, 250mW maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, AC-DC konvertörler ve düşük güçlü DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. SOT-23-3 (SC-59) yüzey montajlı paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, 6.6pF giriş kapasitanslı tasarımı hızlı anahtarlama işlemlerinde minimize edilen geçiş kayıpları sağlar. Not: Bu bileşen üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6.6 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 250mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8Ohm @ 50mA, 4V |
| Supplier Device Package | SC-59-3/CP3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok