Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
5LN01C-TB-E
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 5LN01C
5LN01C-TB-E Hakkında
5LN01C-TB-E, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source voltajına ve 100mA sürekli drenaj akımına dayanıklı olan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında kullanılan genel amaçlı bir anahtarlama transistörüdür. 7.8Ω (4V gate voltajında 50mA'de) maksimum RDS(on) değerine sahip olması, enerji verimliliği gerektiren tasarımlarda tercih edilmesini sağlar. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 250mW güç dağıtabilen bir yapıya sahiptir. Düşük gate yükü (1.57nC @ 10V) ve düşük giriş kapasitesi (6.6pF @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Lojik seviyeleri kontrol edebilen ±10V maksimum gate voltajı ile geniş uygulamalar için uygundur. Not: Bu parça artık üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6.6 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 250mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8Ohm @ 50mA, 4V |
| Supplier Device Package | SC-59-3/CP3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok