Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
3N170 TO-72 4L
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
- Üretici
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-206AF
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 3N170
3N170 TO-72 4L Hakkında
3N170, Linear Integrated Systems tarafından üretilen N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 25V Drain-Source gerilimi (Vdss) ile 30mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V drive voltajında 200Ohm maksimum Ron değeri ile switch ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +135°C arasında çalışabilen bu bileşen, 300mW güç tüketimi ile düşük güçlü devrelerde tercih edilir. TO-72-4 metal kutu paketinde sunulan 3N170, 2V eşik gerilimi ile hızlı komütasyon gerektiren analog ve dijital devreler, darbe genişlik modülasyonu (PWM) kontrol devreleri ve sinyal anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 135°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200Ohm @ 100µA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-72-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±35V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 10µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok